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联电推40奈米SST嵌入式快闪记忆 东芝评估採用

  • 发表时间:2019-05-10 17:34
  • 来源:未知

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▲联电总经理简山杰。(图/记者张一中摄)

记者周康玉/台北报导

联电(2303)今(21)日宣布新推出的40nm奈米SST嵌入式快闪记忆,较量产的55奈米单元尺寸减少20%以上,并使整体记忆体面积缩小了20-30%。东芝已开始评估其微处理器(MCU)晶片联电40奈米SST技术平台的适用性。

联电特殊技术组织协理丁文琪表示,联电努力将这嵌入式快闪记忆体解决方案扩展到40奈米的技术平台,期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其他晶圆专工客户。自2015年提供55奈米SST嵌入式快闪记忆体成为主流技术以来,联电一直受到客户的高度关注,藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性,可用于汽车、工业、消费者和物联网的应用。